要点1宗艳民将碳化硅衬底价格下降归因于技术的提升和规模化效应；要点2目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件；要点3整体上，全球第四代半导体材料尚处于开发阶段。
《科创板日报》9月18日讯（记者 吴旭光）在今日（9月18日）举行的2024年上半年业绩说明会上，天岳先进董事长、总经理宗艳民对该公司8英寸碳化硅衬底产品的产能情况及未来前景预期乐观。
市场发展方向方面，宗艳民表示，目前市场主要还以6英寸晶圆为主，碳化硅晶圆向8英寸发展，这个是半导体行业发展的规律。“未来几年内，随着技术进步，8英寸碳化硅将逐步起量。”
“从降本的角度，长期看，8英寸晶圆将有助于碳化硅器件在更多应用领域实现大规模商业化，推动碳化硅市场进入新的发展阶段。目前公司在8英寸碳化硅衬底上，走在了行业前列，具备规模化生产能力，公司将计划进一步扩展临港工厂8英寸碳化硅衬底产能。”宗艳民补充说道。
对于碳化硅衬底产品价格，今年年初，有市场消息称，国内主流6寸碳化硅（SiC）衬底报价参照国际市场每片750-800美元的价格，快速下杀，价格跌幅直逼三成。
业绩会上，有投资者向天岳先进提问：“4寸、6寸等传统碳化硅衬底产品价格是否有进一步下探的空间？”
宗艳民表示，碳化硅衬底价格会下降，这一方面是由于技术的提升和规模化效应推动衬底成本的下降；另一方面，目前碳化硅衬底价格比硅衬底高，而价格下降有助于下游应用的扩展，推动碳化硅更加广阔的渗透应用。
“与其他半导体材料类似，目前国内外头部企业会根据市场情况、自身产品、具体客户等因素综合考虑定价策略，而部分新进参与者也会通过降价获得市场，这符合行业发展规律。”宗艳民进一步表示。
针对未来公司将采取哪些措施来进一步优化成本时，天岳先进在今年 8月下旬接受机构投资者调研时表示，一方面加大技术研发和前沿技术布局，在晶体生长和缺陷控制等核心技术领域展开密集的试验，不断突破技术瓶颈，提高产品良率，持续降低制备成本；另一方面，持续提升产能产量，通过规模化效应推动衬底成本的下降。
《科创板日报》记者注意到，除了产能扩张之外，碳化硅衬底的生产良率同样意义重大，这在一定程度上决定产品的成本优化，有助于碳化硅渗透率提升。不过各家碳化硅衬底厂商并不愿公开过多透露良率数据。
对于投资者提出的“公司生产效率未来如何提升？”天岳先进方面表示，生产效率提升一方面是长晶阶段，另一方面是加工阶段。“这两方面公司都在持续提升。其中，在加工阶段，公司在持续加大研发投入，包括布局激光切割等前瞻技术领域。”
在产能扩建方面，今年7月8日晚间，天岳先进公告，拟以定增募资3亿元，用于投资8英寸车规级碳化硅衬底制备技术提升项目。
业绩会上，在回复投资者该定增募资项目最新进展提问时，该公司董事会秘书钟文庆表示，天岳先进2024年度以简易程序向特定对象发行股票事项正在按程序推进，尚有不确定性。该公司将根据资本开支情况合理规划再融资等安排。
此外，就碳化硅衬底需求方面，天岳先进证券部工作人员表示，8英寸产品在客户端验证通过后，客户大多都会选择往8英寸升级转型。“尺寸越大，单位芯片成本越低。”
有从事半导体行业研究的业内人士向《科创板日报》记者介绍，8英寸碳化硅衬底更具备综合成本优势，虽然制备成本增加，但合格芯片产量大幅增加。对下游客户来说，推动6英寸往8英寸的方向升级，是重要的降本路径之一。
近年来，得益于碳化硅半导体材料在新能源汽车及风光储等应用领域的持续渗透，天岳先进碳化硅衬底在新能源汽车领域的拓展已成为主要下游应用场景之一。
在业绩会上，天岳先进董事会秘书钟文庆表示，碳化硅有众多优势，提高性能的同时还能提高电池续航里程，缩短充电时间，因此在新能源汽车上已经开始获得规模化应用。特别是在800V高压平台车型上，碳化硅技术的优势明显。随着碳化硅成本的下降，碳化硅在各领域使用的渗透率会持续提高。
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