光刻为集成电路制造关键环节，是指在特定波长光线的作用下，将设计在掩膜版上的集成电路图形转移到硅片表面的光刻胶上的技术工艺。
为了完成图形转移，需要经历沉积、旋转涂胶、软烘、对准与曝光、后烘、显影、坚膜烘焙、显影检测等8道工序，检测合格后继续进行刻蚀、离子注入、去胶等步骤。
光刻工艺的耗时可以占到整个晶圆制造时间的40%-50%，费用约占芯片生产成本的30%。
光刻机是芯片制造光刻环节的核心设备，技术含量、价值含量极高。
光刻机制造难度极高，以一台ASML EUV光刻机为例，由来自全球近800家供应商的数十万个零件组成，每个模块在ASML遍布全球的工厂中生产，再运往荷兰总部组装。
光刻机集精密光学、机械和控制等众多最尖端技术于一身，包括光源系统、照明系统、投影物镜系统、双工件台系统、以及传输系统、调平调焦系统、对准系统等。
其中光源系统、光学系统、双工件台为三大核心系统：
光源系统为光刻机提供曝光能量光；光学系统是实现高分辨率成像的保证；双工件台是纳米精度运动及测控系统，有效提高了光刻精度与效率。
当前全球半导体光刻机市场由阿斯麦ASML（荷兰）、Nikon（日）、Canon（日）三分天下，其中ASML占据全球8成以上市场。
全球仅ASML能生产高端EUV，浸没式DUV也仅ASML与Nikon拥有出货能力。浸没式的成功和EUV的飞跃，使得ASML几乎垄断高端市场。
国内上海微电子在封装环节、前道光刻机小批量出货。
2023年初美日荷三国会晤，计划联合制裁。3月8日荷兰公告拟对华限制出口最先进的DUV光刻设备，6月30日正式出台管制措施。
EUV长期被限，2024年高端浸没式也将断供。我国光刻机仍受制于人，仍是卡脖子最关键 环节，实现高端光刻机的国产替代至关重要。
我国光刻机攻尖采取类ASML的模式，细分各科研院所、高校做分系统，再由SMEE进行整机组装。中科院微电子所、长光所、上光所，清华大学、浙江大学、哈工大等均参与光刻机的研发。
上海微电子已完成90nm光刻机出货，并加快浸没式设备研发：
苏大维格：国内领先的微纳光学制造商，向SMEE提供定位光栅部件，光栅尺周期精度小于1nm，纳米压印技术国内领先。
福晶科技：全球最大的LBO、BBO非线性光学晶体生产商，中科院福建物构所控股，精密光学元件、晶体间接供应ASML。
赛微电子：主营MEMS芯片工艺开发及晶圆制造，GaN外延材料研发生产及芯片设计。子公司Silex为全球光刻龙头公司提供微镜系统。
波长光电：精密光学元件及组件供应商，公司的光刻机平行光源系统，已交付多套系统用于接近式掩膜芯片光刻工序。
蓝英装备：全球领先的清洗系统和表面处理设备提供商，为ZEISS提供精密清洗设备，为ASML提供精密清洗解决方案。
张江高科：公司参股上海微电子装备、华勤通讯等国内集成电路优质企业。
茂莱光学：公司研发的DUV光学透镜已应用于SMEE国产光刻机中，公司半导体检测设备光学模组供货KL。
奥普光电：中科院长光所控股，国内高端光栅编码器龙头企业，布局超精尺，可用于光刻机。
来源：伏白的交易笔记
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