以色列不影响迈络思代工厂的生产?

一、现状变化

1、中国

国内互联网需求:都在搞 AI 买英伟达卡，字节买英伟达全套板卡和光模块，阿里巴巴和腾讯自己搭建架构，买国内厂商 400G Q112 产品。需求量大，但受上游材料限制。徐创有 DSP199 芯片可以交，苏州海光芯创阿里可以交一点料。

国内传统业务有所下降。与去年相比，今年国内光模块不太可能持平，上半年对光模块的需求有所下降。

2、国外

英伟达:全资子公司迈络思做网卡光模块，之前一半以上的份额没有发布，徐创菲尼萨的份额是40-50%，因为以色列战争迈络思会发布更多的份额。最初，泰国工厂很难交付，卡可以交付，但没有光模块，所以它被释放出来，400g 主要是徐创和 finisar 还是 800G：单通道 100G。单通道50G 供应商较多，单通道 100G 相当于 800G，DSP 也是用 800G 是的，光芯片采用单通道 112G，整体价格和 800G 差别不大。迈络思也有传统 200G、400G 模块，量很大，已经转了一些订单，巴以冲突会更加坚决。

二、具体分析

1、在冲突之前，巴以转移生产的原因：迈络思交不出来，真正的批量在泰国，可能是设计、制造或连接有问题。旭创菲尼萨工厂研发制造一起转产较快。迈络思没想到 AI 成交量如此之快，以前没有大规模转产，希望大份额留给自己，小难的徐创菲尼萨做。目前已经转了100多万条 400G 和 200G AOC 以后会给徐创更多。

2、徐创生产能力能否接管：世界上唯一一家每年能接管数十亿订单的公司是徐创。铜陵和苏州的生产能力提前扩大。泰国工厂原本有一个车间，可以立即生产，并于去年开始扩张。徐创的生产能力没有大问题。最多不要做或减少无利可图的产品，以换取高端产品。

3、缺芯片：旭创不缺 DSP，缺乏多模光芯片。光模块整个行业缺乏多模光芯片，因为博通缺乏生产能力，26刚刚开始。英伟达已经将所有的博通材料包装起来，并将其发送给模块制造商；为非英伟达制造商提供可能缺乏芯片；缺乏芯片直到明年上半年才能解决。国内应对方案是慢慢让互联网工厂转向单一模型 DR4/DR8。

4、源杰科技进步：唯一能实现高端芯片量产的是源杰，但时间不确定。

5、10 月 20 日北美云厂商是否会有新的招标:某个日期不固定，各不相同。基本 10 月亮一个接一个地定下来。价格不会大幅下跌，参与者还是那些，徐创，菲尼萨，新易盛，AOI，几个连接器也有机会提供一部分。AI 最火的 OSFP 400/800G 缺货价格不会大幅下跌，今年不缺货的传统产品非常激烈。明年能在北美供货的公司都会过得很好。结合国外咨询招标，谷歌咨询，亚马逊微软可能会招标，不会像国内那样卷。

6、11 月华为招标价格压力：华为 400G 采购价格是国内最高的价格，明年招标要看各种策略。徐创、华工不会，光迅可能会跳水降价，但华为要保证交付，不会低价给很多份额；价格不是唯一的考核目标。最终价格肯定比互联网厂商高，25G 高很多，华为的竞争也不激烈。只有徐创和海思才能做到这一点。华工正源听说 10 月底测过 11 每月开始供货，海信光迅不清楚什么时候可以测量。只有光迅和海信可能会因为缺乏订单而杀死价格。

三、Q&A

Q：以色列不影响迈络思代工厂的生产？

A：不，但需要以色列与泰国合作沟通。以色列代工厂纯粹是由迈络思的人推动的，会做一些小批量的前期研发工作，让 fabrinet 代工，台湾省也有一部分工厂代工。缺点是两家公司沟通效率慢，量产速度降低，所以转出部分订单。现在新产品 3 以前，个月量产 6 个月-1 年， AI 架构不断更新变化，新产品不断出现(前面 OSFP，现在国内 QSFP 系列，华为 Q56、DR4 不停更新。英伟达之前 OSFP SR8、400G VR4 又改 DR4）。此外，迈络思更擅长网卡，独行全球，光模块不是主营业务。最近几个月才开始 400G 把它转给徐创和菲尼萨。战前有转账倾向，战争会加速转账，以色列也可能有小批量模块的研发和生产。如果新项目转移，对旭创和菲尼萨都有好处。

Q：明年上半年光芯片缺货？

A：单通道 112G 多模光芯片短缺。过去，对高端多模的需求很少，博通和二六的准备能力也很少。扩大生产需要很长的过程，外国人的扩张速度也很慢。解决方案是将网络架构转移到单模 DR4 上转。不会到单模缺货的地步。首先，每个人都意识到这件事会做，明年还有时间真正批量做。第二，不是全部转，只是转出不够。

Q：明年的英伟达和谷歌 800G 量预期？

A：没有变化，包括 400G 明年Q112两家公司将接近明年 800 一万。自大批量价格以来，6/7/8 月份变化不大，与月份相比没有太大变化 3/4 月份小批量下降，明年和现在的交货价格差不多，明年下降10%以上。产业链的良率和供应方面也有所下降(比如26年进来后光芯片也有所下降)，所以光模块厂商的整体毛利率会比今年上升。

Q：明年全球 400G 大量增加？

A：是的，400G 上修来自两个方面。首先，华为的计算能力比英伟达弱。 800G，用 400G。二是海外部分数据中心建设停止 2 年现在已经发布了。第三是 800G 也许我不能担心下一个方案的改变 400G(国内有些情况)。今年 11-12 月份可以大批量交货 800G 数量将上升到明年年底 1.6T 必须使用交换机 800G。

Q：明年硅光方案有可能比预期的要多吗？

A：明年，硅光单模确定批量交付。明年，徐创所有单模都采用硅光方案，硅光可以降低成本，类似于多模。降低互联网制造商的成本 10-20%，中间 MPO 使用单模的成本将大大降低，无需多模。800g 单模的比例是不确定的，现在几乎是一样的 0.预计明年将占据 AI 的 20-30%。

Q：迈络思负责 800G 多模名单会转移到徐创吗？

A：自己做一点 10-20%，不能批量。800G 徐创和菲尼萨绝大多数都是这样做的，迈络思是这样做的 400G。天府的订单是天府做的。我很早就找到了徐创、菲尼萨和台湾公司。光发动机的价格很低。只有天府愿意这样做。我听说天府买了超过10亿台设备和材料，不可能转移，而且相对成熟，对天府没有影响。天府的产品才刚刚开始。

Q：迈络思 400G 徐创最大的订单是800G 情况?

A：不确定之前是这样的，已经转了1-200 万条 400G AOC 给旭创。400G 模块不确定，可以肯定的是旭创已经开始小批量供应，OSFP 模块 400G 快速转弯可能需要一个过程，已经转弯了很多 200G/400G AOC，相信 400G 模块也会转动。800G 本来徐创和菲尼萨的份额绝大多数，巴以冲突对国内光模块厂肯定很有好处。

Q：硅光模块方案形式，光源取出硅光芯片放在一起，DSP 放在一起？硅光配套国内供应商？

A：也许这意味着光芯片在硅基上发光，DSP 集成在一起。徐创国内互联网厂商应该都在送样。据估计，硅光基本上是一家外国公司，国内大型工厂无法接受中国。相反，华为ZTE将使用国内设备芯片进行大规模生产，大型互联网工厂没有推广这一事件的动力。另外，产品刚上量，没有人冒险降低成本，先做批量。而且目前价格不敏感还不错，光模块厂商的速度最重要，不分精力做新的，先用最好的。

Q：天孚通信光引擎产品？

A：芯片和无源器件组装在一起，激光器、无源器件和连接部件发光。光发动机和以前不一样，光发动机和无源连接部分应该没有 PCB。给迈络思泰国 fabrinet OEM制作模块，天孚之前制作无源透镜等，有源旭创、新易盛、菲尼萨都是自己找天孚买的。迈络思想寻找新的供应商来降低成本。天府的无源成本做得很好。请天府做。此外，天府还招募了一些在中国制作光模块的人，并在迈络思的指导下进行了有源的工作。

Q：明年 CPO 交换芯片发光，最终不需要光模块。海外哪些大厂会有？ CPO 样机？

A：CPO 它是一种替代光模块的引擎，光源，但看不到未来。CPO 一块板卡上 32 出厂时，所有通道都装满了。如果英伟达在中国卖网卡，如果是一圈 32 光模块，很多客户买只配 4 个或 8 一个光模块，根据情况慢慢匹配，光模块的优点是可以慢慢扩展，所有的机器都被填满，消除了下一代没有芯片的浪费。CPO 如果芯片部分坏了，整个板就报废了。如果光模块热插拔坏了，可以更换。而且光模块迭代速度快，100G 直到英特尔做硅光，英特尔才做硅光 400/800 它是由光模块制造商批量应用和制造的。

Q：目前，电芯片供应可以保证明年徐能创造多少 800G？

A：对徐创来说，电芯片不是瓶颈。光芯片最大的瓶颈是多模，最近新供应商26加进来供应，应该快速改进。此外，英伟达承包博通光芯片对徐创也有好处，包装后会给徐创。旭创芯片压力是光模块中最小的。明年的供应角度可以实现 1000 万只 800G(包括单通道100G) 的 400G，DSP 芯片光芯片是一样的，但很少 4 个通道）。

Q：迈络思 400G 体内消化量？硅光渗透率？

A：400G 一直都是自己做的，以前和现在不一样。以前有100多万只，现在根据 800G 来看估计 2-300 万只，比 800G 便宜一点，少一点 4 颗112G 光芯片。硅光是指单模取代多模，DR4 光模块。800G DR8 和 400G DR4 都是硅光做的，按目前比例20%，预计明年 200 万。只有硅光才能降低成本，传统成本高于多模 30-40%，几个厂家应该能做到，用现有的设备，和做多模很像。

Q：光模块更新的需求是跟随交换机还是GPU？

A：目前知道的高端光模块速率遵循英伟达的需求。影响因素有两个:一是交换芯片速度；二是光模块 DSP、单通道芯片的速度T 模块将于明年年底取出样品，这是英伟达未来的新模块 GPU 博通旭创菲尼萨正在做需求。明年年底或明年年底。 24 一年就能出来。SEVEN研究记录