Q:HBM 和 GDDR 有什么区别?HBM 有何优势?
A: HBM 它是一种可以理解为和的内存产品 CPU 或 SoC 对应的 内存层次,更接近 CPU 或 SoC, 因此,延迟较低。而 GDDR 是 与通用内存相比 HBM, 它的容量小,位宽低,远离它 CPU 或 SoC。对于 HBM 一般而言,密度较高,单层容量可达 2 gbit;传输速度快,一般为 5.6 GT/s;同时离 CPU 或 SoC 因此,延迟较低。
Q:GDDR 它可以支持更多的通道数,因为它离开 CPU 或 SoC 较 远?
A: 是的,因为有更多的空间可以放置更多 GDDR。
Q:存储带宽不足导致计算能力下降?
A: 可以改善存储带宽,需要比较 HBM3 和 HBM3E 特征差异。相比之下。 HBM3, HBM3E 提高了传输速度。从这个角度来看,HBM3E 传输速度比 HBM3 快。至于 H200, 还有一个开发空间,包括提供更好的带宽能力和更低的功耗。
Q:GDDR 与 HBM 两者有什么区别?HBM 如何封装?A:HBM 可直接提供给客户,无需额外填充。而且 GDDR 需要 用某种填料包装,不能用颗粒包装 形式存在。
Q:是否为 HBM 添加环氧塑封的产品?
A: 晶片已经统一处理,而不是单独处理。
Q:CPU 和 GPU 都采用了 HBM, 是否会影响内存需求?
A: CPU 和 GPU 对 HBM 需求是独立的。
Q:HBM 可用于手机等设备吗?
A: HBM 也可用于手机等移动设备。
Q:为什么使用 HBM?
A: 英特尔等公司已经开始尝试了 HBM 集成进 SoC 提高性能。
Q:HBM 大规模生产的技术问题和挑战是什么?
A: 现在是自主研发,但未来可能会采取共享逻辑的方式。大规模 模具生产仍在探索中。
Q:HBM 在哪些应用领域有更大的发展潜力?
A: HBM 在推理领域有可能有更大的应用空间。
Q:AI 训练芯片是否主要使用 HBM?
A: AI 主要使用训练芯片 HBM, 但有些公司可能会寻求更高效的性能或更低的投资,从而使用其他性能较差的产品。
Q:所有 AI 芯片制造商会选择使用 HBM 吗?
A: 是的,比如英伟达,AMD、Google、阿里巴巴,海思,冷 还会选择武纪、嘉合等 HBM 作为解决方案。
Q:如何评估 HBM 市场规模
A: 可以基于 Al 估计模型的处理能力和数据吞吐量 HBM 的市 市场需求。另外,由于其市场份额较大,也可以关注英伟达的计划。 大。
Q:AI 芯片制造商是否会使用类似的英伟达 H100H200 那样的解 决方案?
A: 并非所有 AI 芯片制造商会因为他们的计划而选择这样的计划 该技术尚未达到与英伟达相当的水平。
Q:HBM 成本结构如何?
A: DRAM 占比约为 70%, TMSV 等等也占了一定的成本。
Q:除英伟达外,其他公司也需要使用 EY 世代 DRAM 制造 HBM 吗?
A: 使用早期的 DRAM 因此,使用技术可能会限制产品的性能 100 纳米以下的技术更合适。国内厂商有一定的技术积累, 但具体产品性能仍有待观察。
Q:国内的 HBM 行业有哪些进展和前景?
A: 目前还不清楚,但可以从设备、工艺、硅中介等角度入手。 进行研发。
Q:为什么 HBM 产量小?
A: 与其他产品相比,早期缺乏市场份额的普及度较低。
Q:HBM 是一般标准吗?
A: 这是一个普遍的标准,但不同的公司可能有自己的特点,需要根 根据具体需要定制产品。
Q:是否会有第二个供应商?
A: 第二供应商可能会随着市场竞争和多样化需求而出现。但是 目前 HBM 产品少,市场不稳定。
Q:HBM 瓶颈在哪里?
A: HBM 投资、设备、制造等成本因素是市场的瓶颈。
Q:HBM 市场规模如何?
A: 目前市场规模较小,约占 但 HBM 预计会有更大的增长潜力, 它将在未来几年得到提升 40%-60%, 甚至更高。
Q:TSV 成本是多少?
A: 我不太了解具体的生产情况,因为它涉及到非常早期的设计 以及产品开发和设备, 对成本细节了解不多。
Q:中国生产哪些公司? HBM?
A: 主要是韩国公司,如三星SK 海力士等。国内厂家长电和 华天也开始从事相关业务。
Q:HBM 分销渠道有哪些?
A: 如江波龙、海力士等代理商。他们提供各种价格和服务 不相同。
Q:分销渠道是否有排他性协议?
A: 不排除这种情况,但一般不会有排他性协议。
Q:HBM 制造工艺的特殊要求是什么?
A: 通常采用硅通孔技术,需要多层堆叠,每层之间都有通孔 连接。
Q:国内是否有针对性 HBM 解决方案?
A: 没有,需要解决 HBM 大带宽问题。
Q:HBM 市场比例如何?
A: 现在约占市场份额 50%, 主要用于 AI 加速卡等场景。
Q:什么样的英伟达被采用? HBM 产品?
A: 英伟达采用自己的包装技术,而不是其他公司 装产品。
Q:HBM 封装与其他 DRAM 有什么区别?
A: 带宽是一样的。
Q:带宽是如何影响工艺和层数的?
A: 对带宽的影响较小,主要是位宽和传输速率。
Q:为什么成本更高?
A: 成本主要与原材料和技术、硅片和研发成本有关。
Q:掌握 TSV 技术和生产 HBM 能力有什么关系?
A: 拥有 TSV 可以制造技术 HBM, 但需要具备一定的技术实践 力。
Q:制造环节的核心材料有哪些?
A: 一家公司可能提供材料,具体情况尚不确定。
Q:国内 HBM 生产进展及何时量产?
A: 国内在生产加工方面有一定的基础,但受早期经验的限制 足。预计量产将在未来两年左右实现。
Q:国内能生产出接近国外的产品吗?
A: 类似的产品只要有相关的技术就可以生产,但实际的产品效果仍然是 需要等待时间验证。
Q:HBM 发展方向?
A: 预计第一代主要集中在第一代上 3 代和 3 以提高性价比和R&D效率为重点。预计后续开发的重点是改变产品结构,解决功耗问题。
Q:功耗增加会导致散热问题吗?
A: 功耗过大会影响散热性能,因此需要控制在合理的范围内。功耗和性能通常通过降低速度来平衡。
Q:TSV 工艺难吗?
A: TSV 质量和技术问题难以控制,最终产品的功率也可能受到影响。
Q:HBM 能否满足更高效的要求 高性能诉求?
A: 可能会影响性能,但可以借鉴以往的经验进行优化。
Q:DDR5 有什么区别?
A: 由于通孔技术的原因,两者在实现原理上存在明显差异 另外,形状也不一样 HBM 还需要处理多次曝光等问题。包装 结构差异不大,形状的差异取决于具体规格。
Q:HBM 带宽与层数之间的关系?
A: 按要求的技术规范进行分层。一般分为两层或三层, 256GB 容量可分为三层。
Q:请问 HBM4 研发难度在哪里?
A: 增加许多倍数的技术要求会增加设计难度,需要更换 CPU 端 等关键技术。产业链研究
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