黄仁勋宣布下一代人工智能平台“RubinHBM4内存集成预计

投资要点

2024年6月2日，黄仁勋宣布下一代人工智能平台“RubinHBM4内存集成预计将于2026年发布。

►“Rubin“确认配备HBM4，存力成为升级的重要方向

2024年6月2日，北京时间，英伟达（NVIDIA）COMPUTEXCEO黄仁勋 在2024年会议上发表了题为“开启工业革命新时代”的演讲，宣布Blackwell芯片已投产，其增强版Blackwelll Ultra GPU芯片预计将于2025年推出，下一代数据中心GPU架构名称为“Rubin”，HBM4内存将集成，Rubin GPU和Rubin Ultra GPU预计将于2026年和2027年发布。

存力是英伟达人工智能产品升级的重要方向。2023年11月，基于Hopper结构的H200发布了6个HBM3E芯片，容量为141GB，带宽为4.8TB/s。仅4个月后，英伟达发布了新一代GPU架构——Blackwell；Blackwell GPU配备8层HBM3E芯片，容量192GB，带宽8TB/s，现已投产；Blackwellll的增强版 Ultra GPU芯片预计将于2025年推出，配备8层HBM3E芯片。英伟达计划于2026年推出。Rubin下一代数据中心GPU架构。Rubin基于Rubin架构 GPU将配备8个HBM4芯片；Rubin Ultra GPU将集成12个HBM4芯片，预计将于2027年推出，这也是英伟达首次在AI半导体芯片中使用12个HBM芯片。

►三大原厂加快HBM迭代，推动产业链升级

2024年，美光、SK海力士、三星三大仓储原厂相继实现了HBM3E的量产，同时加快了HBM4的研发。

美光:2024年2月，美光宣布量产HBM3E，并将携带NVIDIA H200 Tensor Core GPU。单引脚最大I/O速率超过9.2Gbit/s，最高带宽超过1.2TB/s，层数为8层，容量为24GB。此外，美光还提供12层堆叠HBM3E样品，容量为36GB。美光计划于2026年推出HBM4产品，最大带宽超过1.5TB/s，堆叠层数达到12/16层，容量为36GB~48GB。美光预计HBM4E产品将于2028年推出，容量将增加到48GB~64GB，带宽将增加到2TB/s以上，堆叠层数仍为12/16层。

SK海力士：2023年8月，SK海力士宣布成功开发HBM3E，单引脚最大I/O 速率为9.2Gbit/s，层数为12层，最高带宽超过1.18TB/s；同时，该产品采用MR-MUF技术，散热性能提高10%。2024年3月，SK 海力士宣布HBM3E已开始量产。2024年4月，SK 海力士宣布将与台积电合作开发HBM4产品。SK海力士表示，应大客户要求，HBM开发进度将提前一年，预计HBM4开发将于2025年完成；HBM4E最早于2026年推出，内存带宽将是HBM4的1.4倍。

三星：2023年10月，三星推出其HBM3E产品-“Shinebolt单引脚最大I/O速率高达9.8Gbit/s，同时提供1.2TB高带宽/s。据Wccftech报道，8层HBM3E已于2024年4月量产，容量高达36GB的12层HBM3E计划于24Q2量产。ISSCC 在2024年，三星公布了HBM4的研究成果，最高带宽为2TB/s，并计划于2025年通过16层堆叠实现48GB容量。

我们认为，以英伟达为代表的人工智能芯片制造商正在加快开发周期，HBM作为人工智能芯片最强大的辅助，也在加速迭代，同时带来新的需求，促进HBM产业链的持续升级。华金电子孙元峰团队-HBM快递

1)封测环节:通富微电(先进封装)、长电技术(先进包装)等；

2)设备环节:拓荆科技:（PECVD+ALD+键合设备）、华海清科(减薄+CMP）、华卓精科(拟上市，键合设备)、芯源微(临时键合和解键合)等；

3)材料环节:华海诚科(环氧塑料密封)、天承科技（RDL+TSV电镀添加剂)、艾森股份(先进包装电镀)等。